高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
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概要
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MOVPE法によりInP系共鳴トンネルダイオード(RTD)を作製した。バリア層/井戸層に歪みAlAs/In_<0.8>Ga_<0.2>Asを適用し、室温でピーク電流密度(j_p)1.46x<10>^5A/<cm>^2、PV比7.7、ピーク電圧0.43Vという良好な特性を得た。これは、MOVPE一貫成長InP-RTD/HEMTを用いた超100Gbit/s級IC実現に十分な特性である。また、バリア層の薄層化により。J_pは4.09x<10>^5A/<cm>^2 (PV比3.8)まで到達した。我々の知る限り、これらの特性はMOVPE成長InGaAlAs系RTDにおいて最も高いj_p、PV比である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-02-04
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
-
松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
杉山 弘樹
日本電信電話
-
横山 春喜
日本電信電話
-
松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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