Beイオン注入によるUTC-PDとHBTのモノリシック集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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Beイオン注入を用いて、単一走行キャリアフォトダイオード(UTC-PD)とInP HBTのモノリシック集積化を検討した。InP HBTのベース層及びコレクタ層の一部へBeイオン注入を行い、ラピッドサーマルアニール(RTA)を施すことにより、HBTエピ構造から選択的にUTC-PDを作製した。作製したUTC-PDは良好なI-V特性を示し、光Sパラメータ測定において、設計通り40GHz以上の3dB帯域を有することを確認した。一方、同一基板上に作製したHBTは、電流利得が25、f_t=150GHz,f_<max>=250GHzであり、RTAによる特性劣化は見られなかった。以上の結果から、本集積化技術は超40Gbit/s用光電子集積回路(OEIC)作製応用へ有望であることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-04
著者
-
柏尾 典秀
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
-
柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
井田 実
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
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