山幡 章司 | 日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所

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概要

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関連著者

• 栗島 賢二

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 山幡 章司

  NTTフォトニクス研究所

• 山幡 章司

  日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所

• 栗島 賢二

  日本電信電話

• 深井 佳乃

  NTTフォトニクス研究所

• 栗島 賢二

  Nttフォトニクス研究所

• 井田 実

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 井田 実

  日本電信電話

• 山幡 章司

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 井田 実

  日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所

• 柏尾 典秀

  Nttフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 井田 実

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研

• 栗島 賢二

  NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社

• 栗島 賢二

  NTTフォトニクス研

• 柏尾 典秀

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  NTTフォトニクス研究所

• 深井 佳乃

  日本電信電話(株)

• 野坂 秀之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 石井 清

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 野坂 秀之

  Nttワイヤレスシステム研究所

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 柴田 随道

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 柴田 随道

  NTTフォトニクス研究所

• 野坂 秀之

  日本電信電話株式会社

• 佐野 栄一

  Jst‐crest

• 柴田 随道

  日本電信電話株式会社

• 野坂 秀之

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 柴田 随道

  日本電信電話(株)マイクロシステムインテグレーション研究所

• 柏尾 典秀

  NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社

• 佐野 栄一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 井田 実

  NTTフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  日本電信電話株式会社

• 井田 実

  NTT情報流通基板研究所

• 佐野 公一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 菅原 裕彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 平田 道広

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 村田 浩一

  日本電信電話(株)ntt Lsi研究所

• 佐野 栄一

  (現)北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 栗島 賢二

  ATR

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社

• 平田 道広

  NTTエレクトロニクス

• 菅原 裕彦

  NTTアドバンステクノロジ(株)

• 佐野 公一

  日本電信電話株式会社

• 佐野 公一

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所

• 佐野 公一

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

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著作論文

• C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
• C-10-4 ロック検出機能付き 39-45Gbit/s CDR 回路
• 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• C-10-8 InP HBT による 43Gbit/s CDR IC
• 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
• 高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
• 新しいロック検出器を用いた39-45Gbit/sマルチレート対応クロック・データ再生回路(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
• C-10-10 エミッタサイズ効果抑制に向けた薄層レッジ構造InP HBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
• 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
• Beイオン注入によるUTC-PDとHBTのモノリシック集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• C-10-17 InP/InGaAs系HBTの高速・高信頼化に向けたTi/W電極構造の検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 高速・高信頼特性を有する0.5μmエミッタInP/InGaAs HBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-7 実用化に向けた100Gbit/s級IC用InP HBTのエミッタ層設計(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 高信頼InP-HBT集積回路製造技術 (特集 フォトニックネットワーク用デバイスの最新技術動向)

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