井田 実 | NTTフォトニクス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
-
渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
Nttフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話
-
栗島 賢二
NTTフォトニクス研
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
-
山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
佐野 栄一
NTT未来ねっと研究所
-
柏尾 典秀
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
徳光 雅美
NTTフォトニクス研究所
-
柴田 随道
NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 敏洋
Ntt フォトニクス研
-
伊藤 敏洋
NTTフォトニクス研究所
-
佐野 栄一
Jst‐crest
-
伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
著作論文
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- C-10-21 新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
- 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- 非セルフアラインInP/InGaAs HBT技術と超高速ディジタルICへの応用
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- C-10-2 InP HBT を用いた 10Gbit/s RZ 変調器ドライバ