新ベース電極引出し構造による高速・低消費電力InP/InGaAs HBT
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概要
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InP / InGaAs HBTにおいて、ベース・コレクタ間容量を低減できる新ベース電極引出し構造HBTを提案・試作した。新提案の構造は特別なプロセス工程を必要とせずに、ベース・ビア領域の容量を完全に除去できる特徴をもつ。エミッタサイズ0.8×1.6μm~2の微細エミッタHBTに新構造を適用した結果、通常構造と比べて、ベース・コレクタ間容量が43%削減された。1mWという低消費電力で、f_T=149GHz、f_max=180GHzという高い値が得られ、本構造が、高速・低消費電力IC用として有望であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-01-19
著者
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
Nttフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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