MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
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概要
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新たにInPエミッタメサ形成後、InGaAsベース層を露出させた状態で高温アニールを施すことによりエピ成長中の水素化が原因で低下したCドープInGaAs層のキャリア濃度が従来as-grownアニールに較べ大幅に改善された。本高温脱水素アニール(500°C)をCドープInP/InGaAs HBT製作に適用した結果、ベース抵抗が低減しピークf_<max>=229GHzの優れた高周波特性が得られた。また、CドープHBTのE/B接合安定性に関して180°C高温通電試験を行った結果、六角形エミッタフィンガーをウェハ主OFに対し平行に配置すると、コレクタ電流、ベース電流とも変動が殆ど見られないことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-20
著者
-
石井 康信
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
渡邊 則之
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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