超高速InP系ヘテロ構造デバイス技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- C-10-12 BCB層間膜配線とInP系HEMTを用いたSCFLスタティック分周器
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- BCB層間膜を用いた配線の高速伝播特性
- InAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたダイナミック分周器の遅延時間解析
- 低温成長半導体全光型スイッチを用いた超高速DEMUX
- EMD2000-51 / CPM2000-66 / OPE2000-63 / LQE2000-57 光遅延を利用したヘテロダインミリ波サブキャリア光源における周波数安定化技術
- EMD2000-51 / CPM2000-66 / OPE2000-63 / LQE2000-57 光遅延を利用したヘテロダインミリ波サブキャリア光源における周波数安定化技術
- EMD2000-51 / CPM2000-66 / OPE2000-63 / LQE2000-57 光遅延を利用したヘテロダインミリ波サブキャリア光源における周波数安定化技術
- EMD2000-51 / CPM2000-66 / OPE2000-63 / LQE2000-57 光遅延を利用したヘテロダインミリ波サブキャリア光源における周波数安定化技術
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
- 光遅延を利用した光ビート周波数制御
- 5.8GHz帯光給電無線アクセスポイントモジュール
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
- 単一走行キャリア端面入射屈折型フォトダイオード
- 1V_出力40 Gbit/sモノリシック受信OEIC
- 5.8GHz帯ファイバ無線用無給電無線アクセスポイントモジュール
- SB-4-7 高速光サブキャリア位相変調技術に基づくスペクトル拡散実験
- SC-3-3 マルチモードWGPDと分布型増幅器で構成した40Gbit/s受信OEIC
- ファイバ無線方式におけるDBR-MLLDの適用
- ファイバ無線方式におけるDBR-MLLDの適用
- B-5-261 光遅延スイッチによるミリ波帯光サブキャリア位相変調
- C-3-90 光サブキャリア多重伝送用光電ハイブリッドミクサ
- C-3-86 50Gbit/sモノリシック受信OEICモジュール
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- SrTiO_3キャパシタをレベルシフト回路に用いたSCFL準スタティック分周器の設計
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた集積回路技術
- 高誘電体比誘電率の高周波特性
- MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
- MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
- MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
- InP/InGaAs DHBTにより構成された17Gbit/sモノリシックpin-PD/識別回路
- 低温成長InGaAs/InAlAs MQW MSM-PDにより構成された差動型フォトコンダクティブ・アンドゲート
- MW2000-28 / OPE2000-28 InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサ
- MW2000-28 / OPE2000-28 InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサ
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるキンク現象のデバイスシミュレーション
- InP HEMTによる40Gbit/s MUX/DEMUX モジュール
- InP/InGaAsHBTプロセスに完全整合する超広帯域pin-PD
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- C-10-20 エッチングストップ層を用いたレッジ付InP DHBTの開発(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 高性能高信頼性InGaP/GaAs HBT(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-2-6 InGaP/GaAs HBTを用いた分布型増幅器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
- InP/InGaAs DHBTを用いた超高速受光OEIC
- 六角形エミッタ形状超高速 InP/InGaAs DHBT
- ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタによりモノリシックに集積されたpin-PD/識別回路
- サブミリアンペア動作超高速InP/InGaAs HBT
- ミリ波帯光サブキャリア伝送時の分散ペナルティの抑制
- EA変調器集積LDのミリ波光リンク応用
- 広帯域、高感度特性を有する低コスト端面入射屈折型フォトダイオードモジュール
- 40 Gbit/s 導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
- Si上ヘテロエピタキシャル成長InAlAs/InGaAs MSM受光素子の作製
- C-10-16 SCFL回路の負荷抵抗を接地する構成における高速動作条件
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 入力バッファを除いたInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたスタティックおよびダイナミックTFFの解析
- 波形クリップを考慮したときのSCFL分周器動作速度の負荷抵抗依存性
- 超高速ディジタルIC用InP系HEMT
- 多重反射の影響を考慮したSCFLインバータ遅延時間解析
- pn接合レベルシフトダイオードを有する超高速InAlAs/InGaAs HEMT IC
- 超高速InP系ヘテロ構造デバイス技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- 伝播遅延を考慮したInAlAs/InGaAs HEMT SCFLインバータ遅延時間解析
- 有機非線形光学結晶の素子化における端面封止の効果
- EOSによるリングオシレータの評価
- 超高周波GaAs MMIC用非対称n+構造SAINT FET (GaAs SAINTによる超高速・超高周波集積回路技術)
- 高利得増幅器の低雑音設計
- InAlAs/InGaAs/InP HEMT雑音特性のデバイスパラメータ感度解析