pn接合レベルシフトダイオードを有する超高速InAlAs/InGaAs HEMT IC
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概要
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0.1μmゲート長のInAIAs/InGaAs HEMTとpn接合ダイオードのモノリシック化により, 40GHzスタティックSCFL分周器動作を初めて実現した。HEMT閾値電圧の高均ー化を目的として, InAIAsバリア層中に薄いInPリセスエッチストッパ層を導入し, 2インチ内の閾値分散値を44mVと極めて低く抑えることが出来た。また,集積化したpn接合ダイオードをレベルシフトに使い, 従来のHEMTのショットキゲートに比べ, 素子サイズの縮小とダイオードオン抵抗の低減を図った。リング発振器や分周器の試作により, CR遅延が短縮され, InP系HEMTの超高速性を十分に発揮できることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-19
著者
-
石井 康信
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
榎木 孝知
Ntt Lsi研究所
-
石井 康信
Nttフォトニクス研究所
-
石井 康信
Ntt Lsi研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研
-
長船 一雄
Nttフォトニクス研究所
-
楳田 洋太郎
NTT LSI研究所
-
長船 一雄
NTT LSI研究所
-
伊藤 弘
NTT LSI研 究所
-
伊藤 弘
Ntt Lsi研究所
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