Si上ヘテロエピタキシャル成長InAlAs/InGaAs MSM受光素子の作製
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概要
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Si基板上に、高品質InPヘテロエピタキシャル膜を介して、InP格子整合系InAlAs, InGaAs MSM(金属-半導体-金属)フォトダイオード(PD)を作製し、暗電流10^-8>A及び感度0.1A/Wという、InP基板上同一構造素子とほぼ同等の静特性が得られることを示した。また、Si上MSMは、立上り時間30〜150ps,立下り時間300〜700ps及びパルス幅150〜600psのパルス応答を示す。以上の静及び動特性は、従来のSi上InGaAs系MSM-PDと比較して、低暗電流及び高速応答の特徴を兼ね備えている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
榎木 孝知
Ntt Lsi研究所
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佐々木 徹
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
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森 英史
Ntt光エレクトロニクス研究所
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太刀川 正美
NTT光エレクトロニクス研究所
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佐々木 徹
NTT光エレクトロニクス研究所
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太刀川 正美
NTT LSI研究所
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須郷 満
NTT LSI研究所
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森 英史
NTT LSI研究所
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