InAlAs/InGaAs HEMTを用いた集積回路技術
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概要
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InP基板上のInAlAs/InGaAs HEMTは,超高速性,超低雑音性が実証され,近年様々なMMICへの応用例が報告されている.しかし,その均一性やIC歩留まり向上については十分な議論がなされていない.本報告では,リセスエッチストッパ層導入によるInAlAs/InGaAs HEMTの高均一化と,本構造の低雑音増幅器や分周器試作への応用結果について報告する.また,将来必要となるIC小型化に向け,高誘電体薄膜を用いたMIMキャバシタのマイクロ波/ミリ波帯での適用性についても報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
石井 康信
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
活田 健治
NTT LSI研究所
-
榎木 孝知
Ntt Lsi研究所
-
石井 康信
Nttフォトニクス研究所
-
石井 康信
Ntt Lsi研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研
-
長船 一雄
Nttフォトニクス研究所
-
活田 健治
NTTLSI研究所
-
活田 健治
Nttフォトニクス研
-
楳田 洋太郎
NTT LSI研究所
-
長船 一雄
NTT LSI研究所
-
伊藤 弘
NTT LSI研 究所
-
伊藤 弘
Ntt Lsi研究所
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