楳田 洋太郎 | NTT LSI研究所
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概要
関連著者
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楳田 洋太郎
NTT LSI研究所
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楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研
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石井 康信
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
榎木 孝知
Ntt Lsi研究所
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石井 康信
Ntt Lsi研究所
-
中村 誠
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
石井 康信
Nttフォトニクス研究所
-
遠藤 潤
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
赤津 祐史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
今井 祐記
Nttフォトニクス研究所
-
中村 誠
Nttフォトニクス研究所
-
令井 祐記
NTT LSI研究所
-
楳田 洋太郎
Nttフォトニクス研究所
-
長船 一雄
Nttフォトニクス研究所
-
長船 一雄
NTT LSI研究所
-
楳田 洋太郎
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
尾辻 泰一
Ntt 光ネットワークシステム研究所
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伊藤 弘
NTT LSI研 究所
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尾辻 泰一
NTT LSI研究所
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今井 祐記
NTT LSI研究所
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伊藤 弘
Ntt Lsi研究所
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楳田 洋太郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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尾辻 康一
九州工大
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中村 誠
NTTフォトニタス研究所
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活田 健治
NTT LSI研究所
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遠藤 潤
日本電信電話(株) フォトニクス研究所
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遠藤 潤
NTTフォトニクス研究所
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今井 祐記
Nttエレクトロニクス株式会社
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活田 健治
NTTLSI研究所
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活田 健治
Nttフォトニクス研
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木村 俊二
Ntt未来ねっと研究所
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今井 祐記
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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赤津 祐史
NTTフォトニクス研究所
-
木村 俊二
NTT LSI研究所
-
佐野 栄一
Ntt Lsi研究所
-
山口 聡
工学院大学工学部電子工学科
-
滝沢 孝充
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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品川 満
Ntt通信エネルギー研究所
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永妻 忠夫
NTT LSI研究所
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滝沢 孝充
NTT-AT
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米山 幹夫
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
品川 満
NTT LSI研究所
-
米山 幹夫
NTT 光ネットワークシステム研究所
-
山口 聡
NTT LSI研究所
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榎本 孝知
Ntt Lsi研究所
-
榎木 孝和
NTT LSI研究所
-
恒木 考知
NTT LSI研究所
著作論文
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた集積回路技術
- 高誘電体比誘電率の高周波特性
- InP HEMTによる40Gbit/s MUX/DEMUX モジュール
- PON用高感度・低コスト光トランシーバ技術 (特集 光ネットワーク用光モジュール技術)
- PON用バースト伝送対応光受信回路技術 (特集 光ネットワーク用光モジュール技術)
- C-12-32 1.25Gbit/sバースト伝送用CDRIC(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
- 1.25Gb/s PON用高速応答バースト光受信IC(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- C-12-16 1.25Gbit/sバースト対応高感度プリアンプIC(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- C-12-15 1.25 Gb/s PONシステム対応バーストモード光受信器(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- B-10-89 1.25 Gbit/s PON OLT用光送受信モジュール(B-10. 光通信システムB(光通信), 通信2)
- 波形クリップを考慮したときのSCFL分周器動作速度の負荷抵抗依存性
- 超高速ディジタルIC用InP系HEMT
- 多重反射の影響を考慮したSCFLインバータ遅延時間解析
- pn接合レベルシフトダイオードを有する超高速InAlAs/InGaAs HEMT IC
- EOSによるリングオシレータの評価
- 16dB,DC〜50GHz InAlAs/InGaAs HEMT損失補償型分布ベースバンド増幅器IC
- DC〜60GHz帯InAlAS/InGaAs HEMT低損失型分布ベースバンド増幅器IC
- 高利得増幅器の低雑音設計
- InAlAs/InGaAs/InP HEMT雑音特性のデバイスパラメータ感度解析