石井 康信 | NTTシステムエレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 石井 康信

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  Nttフォトニクス研

• 石井 康信

  Nttフォトニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 榎木 孝知

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 長船 一雄

  Nttフォトニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  Nttフォトニクス研究所

• 石井 康信

  Ntt Lsi研究所

• 榎木 孝知

  Ntt Lsi研究所

• 楳田 洋太郎

  NTT LSI研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 長船 一雄

  NTT LSI研究所

• 深井 佳乃

  NTTフォトニクス研究所

• 山根 康朗

  NTTエレクトロニクス(株)

• 長船 一雄

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 北林 博人

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 伊藤 弘

  NTT LSI研 究所

• 伊藤 弘

  Ntt Lsi研究所

• 山根 康朗

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 深井 佳乃

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 北林 博人

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 山根 康朗

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 末光 哲也

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 末光 哲也

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 石井 哲好

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 玉村 敏昭

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 玉村 敏昭

  Ntt 光エレクトロニクス研究所

• 中島 裕樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 渡邊 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 栗島 賢二

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 石井 哲好

  NTT 光エレクトロニクス研究所

• 中島 裕樹

  NTTフォトニクス研究所

• 山幡 章司

  NTTフォトニクス研究所

• 活田 健治

  NTTLSI研究所

• 活田 健治

  Nttフォトニクス研

• 山幡 章司

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 中島 裕樹

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 渡邊 則之

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 榎木 孝知

  NTTフォトニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  NTT システムエレクトロニクス研究所

• 長船 一雄

  NTT システムエレクトロニクス研究所

• 石井 康信

  NTT システムエレクトロニクス研究所

• 活田 健治

  NTT LSI研究所

• 榎木 孝知

  NTT システムエレクトロニクス研究所

• 横山 春喜

  NTT システムエレクトロニクス研究所

• 今村 義宏

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 伊藤 弘

  NTTフォトニクス研究所

• 尾辻 泰一

  Ntt 光ネットワークシステム研究所

• 楳田 洋太郎

  Ntt

• 松岡 裕

  Nttフォトニクス研究所

• 活田 健治

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 尾辻 泰一

  NTT LSI研究所

• 西畑 幸治

  NTT エレクトロニクステクノロジー

• 榎本 孝知

  Ntt Lsi研究所

• 尾辻 康一

  九州工大

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著作論文

• C-10-12 BCB層間膜配線とInP系HEMTを用いたSCFLスタティック分周器
• 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
• BCB層間膜を用いた配線の高速伝播特性
• InAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたダイナミック分周器の遅延時間解析
• SrTiO_3キャパシタをレベルシフト回路に用いたSCFL準スタティック分周器の設計
• InAlAs/InGaAs HEMTを用いた集積回路技術
• 高誘電体比誘電率の高周波特性
• MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
• MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
• MOVPE成長カーボンドープInP/InGaAs HBT
• 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
• 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
• C-10-16 SCFL回路の負荷抵抗を接地する構成における高速動作条件
• 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
• 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
• 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
• 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
• 入力バッファを除いたInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いたスタティックおよびダイナミックTFFの解析
• 波形クリップを考慮したときのSCFL分周器動作速度の負荷抵抗依存性
• 超高速ディジタルIC用InP系HEMT
• 多重反射の影響を考慮したSCFLインバータ遅延時間解析
• pn接合レベルシフトダイオードを有する超高速InAlAs/InGaAs HEMT IC
• 超高速InP系ヘテロ構造デバイス技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
• 伝播遅延を考慮したInAlAs/InGaAs HEMT SCFLインバータ遅延時間解析
• 高利得増幅器の低雑音設計
• InAlAs/InGaAs/InP HEMT雑音特性のデバイスパラメータ感度解析

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