末光 哲也 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

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関連著者

• 末光 哲也

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 末光 哲也

  Ntt フォトニクス研

• 塩島 謙次

  NTTフォトニクス研究所

• 末光 哲也

  NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  Ntt フォトニクス研

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 塩島 謙次

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 牧村 隆司

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 廣木 正伸

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社

• 横山 春喜

  日本電信電話

• 重川 直輝

  大阪市立大学大学院工学研究科

• 杉山 弘樹

  Nttフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 小杉 敏彦

  NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 深井 佳乃

  NTTフォトニクス研究所

• 渡辺 和夫

  NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTアドバンストテクノロジ

• 末光 哲也

  NTT フォトニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 末光 哲也

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 石井 哲好

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 榎木 孝知

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 石井 康信

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 玉村 敏昭

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 玉村 敏昭

  Ntt 光エレクトロニクス研究所

• 石井 康信

  Nttフォトニクス研究所

• 石井 哲好

  NTT 光エレクトロニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  Nttフォトニクス研究所

• 楳田 洋太郎

  Nttフォトニクス研

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所

• 山根 康郎

  Nttフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  NTT先端技術総合研究所

• 塩島 謙次

  Ntt フォトニクス研究室

• 楳田 洋太郎

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 高橋 亮

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  NTTフォトニクス研究所

• 深井 佳乃

  NTT フォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  NTT フォトニクス研究所

• 渡辺 和夫

  NTT フォトニクス研究所

• 中原 達志

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 鈴木 博之

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  NTTフォトニクス研

• 鈴木 博之

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所

• 浦田 涼平

  日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  Nttフォトニクス研

• 高橋 亮

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 塩島 謙次

  NTT LSI研究所

• 鈴木 博之

  (株)日立製作所ストレージシステム事業部

• 鈴木 博之

  (株)クラレ情報システム室

• 小椋 充将

  京大工学研究科材料工学専攻

• 鈴木 博之

  静岡大学工学部

• 重川 直輝

  Ntt

• 中原 達志

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所

• 小杉 敏彦

  NTT フォトニクス研究所

• 榎木 孝知

  NTT フォトニクス研究所

• 山根 康郎

  NTT フォトニクス研究所

• 末光 哲也

  日本電信電話株式会社フォトニクス研究所:(現)東北大学電気通信研究所

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著作論文

• InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
• 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
• CS-7-1 光クロックトランジスタアレイ(OCTA)を用いた高速非同期光ラベル処理技術(ELEX Best Paper Award受賞記念講演,CS-7.変復調用集積光デバイスの現状と展望,シンポジウム)
• B-12-8 非同期任意長光パケットに対するエラーフリーラベル交換動作(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
• InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
• InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
• 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
• 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
• InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス 周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
• InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
• InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
• 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 微小ショットキー電極を用いたGaN結晶の評価 : 低キャリアn-GaNの結晶欠陥とI-V特性との相関
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
• 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価
• チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
• 微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関
• チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
• 微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関
• SC-7-12 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
• 高電子移動度トランジスタの高速性能極限の追求

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