InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
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概要
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超高速回路応用に開発した0.1μm-InAlAs/InGaAs HEMTのドレインコンダクタスの低周波数分散について、その分散量を定量化し、バイアス依存性、基板電流依存性との関係を詳細に評価した。衝突イオン化とドレインコンダクタンス低周波数分散の関係についてまとめ、その発現機構、モデル化について議論する。モデル計算から周波数分散のバイアス依存性は、相互コンダクタンスのバイアス依存性に強く影響を受けていることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-10
著者
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小杉 敏彦
NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
NTT フォトニクス研究所
-
末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
Ntt フォトニクス研
-
山根 康郎
Nttフォトニクス研究所
-
小杉 敏彦
NTT フォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTT フォトニクス研究所
-
山根 康郎
NTT フォトニクス研究所
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