短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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サファイアおよびSiC基板上に短ゲートAlGaN/GaN HEMTを作製し、DC、及びRF特性を評価した。表面モフォロジー、移動度、接触抵抗に両者で違いがみられ、接触抵抗が相互コンダクタンスを制限していることが分かった。しかし、ソース抵抗の影響を差し引いた真性相互コンダクタンスはほぼ同じであり、遮断周波数のゲート長依存性も同一線上に乗ることが分かった。これらの結果はサファイアおよびSiC基板上HEMTの電子速度に差が無いことを示唆するものである。
- 2005-10-06
著者
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
Ntt フォトニクス研
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
-
横山 春喜
日本電信電話
-
重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
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