AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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我々はAlGaN/GaN 2次元電子ガス構造の熱的安定性に注目し、これまでにAlGaNバリア層厚さが200Åより薄い場合、AlGaNの結晶品質により、結晶成長温度以下の熱処理温度でもシート抵抗が上昇することを報告してきた。今回はSiN保護膜によるシート抵抗の安定化を検討した。AlGaN膜が152Åまで薄くでも、SiN膜により表面保護を行うと、窒素雰囲気中800℃までの熱処理後もシート抵抗は安定した。また、620℃の熱処理温度までTi/Alオーミック電極との良好な整合性を確認した。本検討結果はAlGaNバリア層の薄層化によるFETの高性能化において重要なプロセスさあることを示すものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-26
著者
-
塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話(株)
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
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