耐熱ゲートInGaP/GaAs MESFETの製作技術
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概要
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我々はGaAsMESFETの高耐圧、低雑音化のため、InGaP薄層をチャネル上に形成する構造を提案している。今回、ゲート電極として耐熱金属であるWSiNを用い、GaAsキャップ層を電極直下に形成することにより、InGaPショットキー接触の耐熱性を向上させる検討を行った。InGaP上に直接WSiNを堆積した場合、500℃の熱処理でInとWとの合金化により、I-V特性に劣化がみられた。WSiNとInGaPとの間に約50Å厚のGaAsキャップ層を形成すると、この界面反応が抑止され、910℃、0.2秒の熱処理を行なった後も、良好なI-V特性が得られた。この構造を用いてイオン注入MESFETを製作し、FET動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-21
著者
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
日向 文明
NTT LSI研究所
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
杉谷 末広
NTT LSI研究所
-
塩島 謙次
NTT LSI研究所
-
日向 文明
Nttシステムエレクトロニクス研究所
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