エピ/GaAs基板界面の不純物の低減法に関する検討 : 基板前処理の効果と雰囲気からの汚染

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概要

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エピ/GaAs基板界面に存在する不純物について、成長前の各種酸による基板前処理がその濃度低減に及ぼす効果を調べるとともに、基板前処理を行った場合に残存する不純物Siの由来を考察した。塩酸ないしフッ酸による基板処理で、界面での不純物SiおよびSの濃度が1×10^<17>cm^<-3>以下に低減されることを明らかにした。残存するSiは、基板前処理後に基板が晒される雰囲気、すなわち大気および乾燥窒素に由来すること、乾燥窒素中に放置した場合には、大気中放置の場合より多くのキャリアが発生することを明らかにした。乾燥窒素中放置ではOが付着せず、OによるSiの不活性化効果がほとんどないためと考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-11-09

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