0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFETの高性能化
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概要
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GaAs MESFETの高性能化には、ゲート長の短縮が有効である。しかしながら、イオン注入を用いたセルフアラインGaAs MESFETでは、注入イオンの横方向拡がりにより、ゲート電極とn'層がゲート端近傍で重なりゲート容量が大きくなる。また、ゲート長の短縮により、n'層の近接等による短チャネル効果が顕著となる。そこで今回、イオン注入を用いたBP-LDD構造0.1μmAu/WSiNゲートGaAs MESFETのより一層の高性能化のため、ゲート電極端とn'層にオフセット領城を設けることを検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
-
徳光 雅美
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
山崎 王義
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
徳光 雅美
NTT LSI研究所
-
山崎 王義
NTT LSI研究所
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
小野寺 清光
NTT LSI研究所
-
新山 肇
NTT LSI研究所
-
小野寺 清光
NTTフォトニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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