次世代超高速O/Eパッケージのためのチップ上光配線
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
次世代の100Gbit/s級光ネットワーク構築に必要となる低コストパッケージ実現には、チップ上光配線技術が有望である。我々はOEICを作製後のウエハに光配線(WOW:Waveguide On processed Wafer)を後工程で作製する技術を開発した。光導波路材料としては、導波路プロセスが容易で様々な基板への適応が可能となるポリマーを用いた。単一走行キャリアフォトダイオード(UTC-PD)作製後に2つのタイプのチップ上光配線を作製し、その給光特性を評価した。また、チップ上光配線付きOEICのO/E特性をオンウエハ評価するための光プローブシステムを開発し、本構造に対する40Gbit/sのO/E変換特性を評価した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-04-18
著者
-
徳光 雅美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
荒武 淳
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
-
徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
-
明吉 智幸
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
荒武 淳
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
関連論文
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-7 40G光伝送用電気分散補償(DFE)IC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- R&Dホットコーナー 120GHz帯無線データ通信へ向けたミリ波集積回路技術
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信
- C-10-2 低ジッタ50Gbit/sダイナミック型識別回路(C-10.電子デバイス)
- 石英系プレーナ光波回路と多心ファイバの接続技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- C-3-62 曲線状に配列されたコアを有する128心ファイバ部品(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC
- InP HEMTを用いた低消費電力スイッチマトリクスIC
- CS-10-3 ミリ波応用に向けたInP HEMT技術(CS-10.ミリ波・サブミリ波信号検出技術の現状と展開,シンポジウム)
- 横方向微細化InP系HEMTの作製技術と素子特性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- タングステンをオーミック電極に用いた新たな横方向微細化技術によるInP系HEMTの特性向上
- 0.1μm級GaAs MESFETを用いた超高速識別器IC
- 超高速IC用の多層配線を用いた0.1μmセルフアラインゲートGaAs MESFET
- WSiN自己整合ゲ-トGaAs-MESFET技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- InGaP/InGaAs/GaAs-HMESFETの耐圧向上
- 0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFETの高性能化
- 石英系プレーナ光波回路と多心ファイバの接続技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- 石英系プレーナ光波回路と多心ファイバの接続技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- 0.15μm GaAs MESFETを用いた40Gbit/s識別器IC
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- フォトニック結晶ファイバを用いた波長1μm帯高速伝送(高機能光ファイバ及び一般)
- B-13-1 Supercontinuum光を用いたPCFにおける1μm帯WDM伝送(B-13. 光ファイバ応用技術,一般セッション)
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 40Gbit/s光伝送用PMD補償等化IC(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
- チップ上光配線付き高速OEICの簡易実装技術(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- チップ上光配線付き高速OEICの簡易実装技術(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- チップ上光配線付き高速OEICの簡易実装技術(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- チップ上光配線付き高速OEICの簡易実装技術(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 次世代超高速O/Eパッケージのためのチップ上光配線(光部品の実装,信頼性)
- 次世代超高速O/Eパッケージのためのチップ上光配線(光部品の実装,信頼性)
- 次世代超高速O/Eパッケージのためのチップ上光配線
- SC-9-5 超高速 OEIC パッケージ用チップ上光インタコネクション
- 超100 Gbit/s級OEICのためのチップ上光配線(WOW)構造
- 超100Gbit/s級OEICのためのチップ上光配線(WOW)構造
- C-2-46 信号線下を掘込んだグランドコプレーナ線路2
- C-2-77 鉛フリーはんだを用いたフリップチップ実装の高周波特性2 : バンプ電極径依存性
- C-2-35 信号線下を掘込んだグランドコプレーナ線路
- 超100Gbit/s級OEICに向けた光インターフェースとしてのチップ上光配線構造
- 超100Gbit/s級OEICに向けた光インタフェースとしてのチップ上光配線構造
- 0.1μm GaAs MESFETのしきい値電圧高均一化
- 20 Gbit/s動作スタティック識別器
- 100GHzミリ波アナログMMIC技術 : ミリ波分光, ミリ波データ通信, ミリ波イメージング装置等へ向けて(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 100GHzミリ波アナログMMIC技術 : ミリ波分光, ミリ波データ通信, ミリ波イメージング装置等へ向けて
- 超高速ICに向けた0.1μmGaAsMESFET技術
- 新BP-LDD構造0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFET
- 超高速OE実装に向けたオンチップ光配線技術 (特集 光実装技術)
- SC-14-3 チップ上光配線付きOEICのフリップチップ実装技術(SC-14.光デバイス実装技術の展望)
- 超高速集積回路用GaAs MESFETの0.1μm WSiNゲート形成技術
- 平成15年度学術奨励賞受賞記(II)(NEWS LETTER)
- C-3-57 高信頼性石英-LiNbO_3ハイブリッド変調器の設計と評価(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CI-5-3 石英-LiNbO_3ハイブリッド集積技術を用いた高機能多値変調器とその信頼性技術(CI-5.光変調デバイスと材料技術の最新動向,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)