新BP-LDD構造0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFET
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概要
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イオン注入を用いたゲート長0.1μmのAu, WSiNゲートBP-LDD構造GaAsMいSFETにおいて、短チャネル効果が低減できる構造として、n層およびn'層に適したBP層とは別に、n^+層に適したBP層(BP2層)を形成する新BP-LDD構造を検討した。さらに、ゲート抵抗低減のため側壁メッキ法を用い、ゲートのAuを厚く形成することを検討した。この結果、ソース抵抗R_Sを増大させないで、ドレインコンダクタンスg_dおよび、ゲート抵抗R_gが低減でき、最大g_m=720mS/mm、最大f_T=105GHz、最大f_max>=233GHzを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-11
著者
-
徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
-
山崎 王義
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTLSI研究所
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
青山 真二
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一巳
NTTLSI研究所
-
徳光 雅美
NTTLSI研究所
-
平野 真
NTTLSI研究所
-
青山 真二
NTTLSI研究所
-
山崎 王義
NTTLSI研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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