2層構造WSiN電極によるGaAsショットキー接触の耐熱性の向上
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概要
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我々はGaAsMESFETの高耐圧、低雑音化のため、GaAs, InGaP薄層をチャネル上に形成する構造を提案している。今回、WSiN/GaAsの界面反応をTEMにより微視的に評価し、WSiNのN含有量を10%以下にすると界面反応が抑止されることを発見した。この結果、WSiN(N=10%)/GaAs CAP/InGaP構造において、GaAsキャップを25Åまで薄くしても、800℃、100分のアニールに耐えるショットキー接触を実現した。さらに、WSiN(N=37%)/WSiN(N=10%)の2層電極構造にすると、高い耐熱性を保ちながら、チャネルの高活性化が得られることも発見した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-11
著者
-
菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
-
徳光 雅美
NTT LSI研究所
-
日向 文明
NTT LSI研究所
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
菅原 裕彦
Ntt Lsi研究所
-
入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
塩島 謙次
NTT LSI研究所
-
日向 文明
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
入戸野 巧
NTT LSI研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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