分光エリプソメトリー及びX線回折によるInGaP/InGaAs HFET構造の非破壊評価

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概要

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InGaP/GaAs/InGaP/InGaAs/GaAs sub.のHFET構造エピ結晶を分光エリプソメトリーとX線回折を併用して非破壊評価した。エリプソデータの膜厚依存性の顕著な波長領域が各膜毎に異なることに着目し、特定の波長領域を用いて各層の膜厚を個別に最適化することを試みた。その結果、各層を個別に最適化して得られた膜厚は、同一波長領域で全ての膜厚を最適化する一般的な方法に比べ、断面TEM観察との整合性が良い結果が得られた。また、InGaP,InGaAs層のIn組成をX線回折パターンより評価した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-05-23

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