対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
マイクロ波ミリ波帯通信システム用デバイスとして, T型Au/WSiNゲート構造を有する対称及び非対称BP-LDD構造i-GaAs/i-InGaP/n-InGaAs/i-GaAsHMESFETを開発した. 本技術では斜めSiイオン注入でn+層を形成することで, 対称及び非対称構造デバイスを同ーチップ上に作製でき, 低雑音特性, 高耐圧・高電力利得特性という相殺する特性を同ーチップ上に実現可能である. 試作したゲート長0.13μmの対称構造デバイスに於いて, fTが70GHz以上, 20GHzに於ける雑音指数1.0dBと良好な結果が得られた. また同時に作製した非対称構造デバイスに於いては, 耐圧が8V以上, 60GHzに於けるMSGが7.8dBと良好であった. また対称構造デバイスを用いてミリ波帯増幅器を試作し, 50GHz〜60GHzに於いての利得9dB, 雑音指数6dBを得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-06-20
著者
-
山崎 王義
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
小野寺 清光
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
関連論文
- C-10-15 BCB多層配線プロセスを用いたマイクロ波線路の特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- InP HEMTを用いた低消費電力スイッチマトリクスIC
- 超高速IC用の多層配線を用いた0.1μmセルフアラインゲートGaAs MESFET
- WSiN自己整合ゲ-トGaAs-MESFET技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- InGaP/InGaAs/GaAs-HMESFETの耐圧向上
- 0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFETの高性能化
- 超高速ディジタル回路用0.1μm級GaAsMESFET
- B-10-81 380ps/nmの分散トレランスをもつ完全符号化40Gbit/s光デュオバイナリ信号を用いた8チャネルWDM伝送
- 3次元配線を用いた0〜56GHzゲートライン分割型分布べースバンド増幅器 IC
- 耐熱ゲートInGaP/GaAs MESFETの製作技術
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETを用いたミリ波帯増幅器
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 40Gbit/s光伝送用InP-HEMT IC製作技術
- 感光性BCBを用いた3次元MMIC配線プロセス技術
- マスタスライス型3次元ミリ波MMICの検討
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 多給電構成を用いた40GHz帯域高利得分布型増幅器ICモジュール
- 3次元配線を用いた0〜80GHzソースライン分割型分布直流レベルシフトIC
- C-2-46 信号線下を掘込んだグランドコプレーナ線路2
- C-2-77 鉛フリーはんだを用いたフリップチップ実装の高周波特性2 : バンプ電極径依存性
- C-2-35 信号線下を掘込んだグランドコプレーナ線路
- 0.1μm GaAs MESFETのしきい値電圧高均一化
- 耐熱ゲートInGaP/InGaAs/GaAs HMESFET
- 自己整合0.1umゲートGaAs-MESFETの閾値変動と寿命
- 自己整合0.1umゲートGaAs-MESFETの閾値変動と寿命
- 10Gb/s直列入出力型 ATMスイッチLSI
- 再ルーチングバンヤン網の高密度実装化
- 超高速ICに向けた0.1μmGaAsMESFET技術
- 成長中断時AsH_3後流し条件制御によるInGaP/GaAsヘテロ界面の高品質化
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- 分光エリプソメトリー及びX線回折によるInGaP/InGaAs HFET構造の非破壊評価
- 分光エリプソメトリー及びX線回折によるInGaP/InGaAs HFET構造の非破壊評価
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 超小型MMIC用3次元配線技術
- U字形VIAを用いた厚膜ポリイミド多層配線の製作
- 新BP-LDD構造0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFET
- 耐熱ゲートGaAs/InGaAs/GaAsMESFET
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの自己発熱評価
- P2-28 サファイア基板上GaNのSAW特性(ポスターセッション2(概要講演))
- 2層構造WSiN電極によるGaAsショットキー接触の耐熱性の向上
- エピ/GaAs基板界面の不純物の低減法に関する検討 : 基板前処理の効果と雰囲気からの汚染
- 0.1μm級ゲートGaAs-MESFETを用いたミリ波帯増幅器
- MMIC用二重LDD型H-MESFET
- 超高速集積回路用GaAs MESFETの0.1μm WSiNゲート形成技術
- C-10-15 InAlAs/InGaAs/InP HEMTによる50-Gbit/s l:2デマルチプレクサモジュール
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 InP-HBT-IC安定化のための基板貫通グランドヴィア形成プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)