3次元配線を用いた0〜80GHzソースライン分割型分布直流レベルシフトIC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-06
著者
-
菊池 博行
Nttエレクトロニクス
-
菊池 博行
NTT光ネットワークシステム研究所
-
小野寺 清光
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
木村 俊二
Ntt未来ねっと研究所
-
木村 俊二
NTT光ネットワークシステム研究所
関連論文
- C-10-15 BCB多層配線プロセスを用いたマイクロ波線路の特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-12-5 マルチチップモジュール技術を用いた40Gbit/sデータディテクタ
- 3次元配線を用いた0〜56GHzゲートライン分割型分布べースバンド増幅器 IC
- 40 GHz分布ベースバンドアンプモジュール
- B-10-64 40Gbit/s TDM送受信プロトタイプを用いた160 Gbit/sWDM伝送実験
- InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETを用いたミリ波帯増幅器
- 多層配線構造GaAs MESFETを用いた50GHz帯域ベースバンド増幅器モジュール
- フリップチップ実装を用いた超高速GaAs MESFET ICモジュール
- フリップチップ実装を用いた超高速GaAs MESFET ICモジュール
- 感光性BCBを用いた3次元MMIC配線プロセス技術
- マスタスライス型3次元ミリ波MMICの検討
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 3次元配線を用いた全域透過型分布ベースバンド増幅器IC
- C-3-124 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別回路からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- 40 GHz級リミッタ増幅器モジュール
- C-10-23 InP HEMTを用いた40GHz級リミッタ増幅器IC
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 光伝送用分布増幅型アナログICの設計法
- 多給電構成を用いた40GHz帯域高利得分布型増幅器ICモジュール
- 3次元配線を用いた0〜80GHzソースライン分割型分布直流レベルシフトIC
- InAlAs/InGaAs HEMTを用いた40 Gbit/sフリップチップ信号分配モジュール
- C-2-46 信号線下を掘込んだグランドコプレーナ線路2
- C-2-77 鉛フリーはんだを用いたフリップチップ実装の高周波特性2 : バンプ電極径依存性
- C-2-35 信号線下を掘込んだグランドコプレーナ線路
- 0.1μm GaAs MESFETのしきい値電圧高均一化
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの自己発熱評価
- 超広帯域集積回路・モジュ-ル設計技術 (〔特集〕超高速化合物半導体IC技術)
- 0.1μm級ゲートGaAs-MESFETを用いたミリ波帯増幅器
- MMIC用二重LDD型H-MESFET
- 0〜40 GHz GaAs MESFET分布型信号分配IC
- DC〜40GHz GaAs MESFET 分布ベースバンド増幅器 IC
- 16dB,DC〜50GHz InAlAs/InGaAs HEMT損失補償型分布ベースバンド増幅器IC
- DC〜60GHz帯InAlAS/InGaAs HEMT低損失型分布ベースバンド増幅器IC