フリップチップ実装を用いた超高速GaAs MESFET ICモジュール
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概要
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40Gbit/s光伝送用超高速モジュールの実現を目的として、多層配線構造を用いた0.1μmゲート長GaAs MESFETにより分布型の信号増幅器及び分配回路ICを開発した。伝送線路にはバンプ実装による影響のない逆マイクロストリップ線路を主体に用いた。これらのICを転写型の微小はんだバンプ技術によりフリップチップ実装し、チップサイズキャビティパッケージに搭載し、評価した結果、増幅器モジュールは利得8 dB、3 dB帯城50 GHz以上、信号分配モジュールは損失2 dB、3 dB帯域40 GHzの広帯域性能を得た。両モジュールとも40 Gbit/sでの動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-11
著者
-
平野 真
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
今井 祐記
Nttエレクトロニクス株式会社
-
菊池 博行
Nttエレクトロニクス
-
恒次 秀起
日本電信電話株式会社 Ntt通信エネルギー研究所
-
恒次 秀起
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
菊池 博行
NTT光ネットワークシステム研究所
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