DC〜40GHz GaAs MESFET 分布ベースバンド増幅器 IC
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概要
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超高速光伝送用増幅器として、分布増幅型構成によるベースバンド増幅器をこれまで提案してきた。今回は、量販可能なGaAs MESFETを用いて試作したICについて報告する。試作した二品種のICのうち一つは前回報告した損失補償型回路構成法をもちいた。評価結果は利得9dB、帯城DC〜44GHzという特性を示し、これJで報告されたGaAs MESFETの増幅器ICのなかで最大の帯域を得た。もう一品種のICには、低周波における雑音指数を改善するため、入力側終端回路に能動素子を用いた新規構成をもちいた。雑音指数の評価結果は7GHz以下の低周波帯で従来のものに比べ約1dBの改善が得られた。以下に詳述する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
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