導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
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概要
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従来構造の受信OEIC (面型受光素子+帰還型増幅器)の限界を超える超高速受信用OEICの実現に向けて, 導波路型pinフォトダイオード(WGPD)とHEMT分布ベースバンド増幅器で構成された受信用OEICをInP基板上に作製した. 本受信OEICの3db遮断周波数帯域は20 GHz, 20Gbit/sRZ疑似ランダム光信号に対する受信感度は-10.4dBmであった. また, 30Gbit/sの光信号に対しても良好なアイの開口を示した. この受信OElCを構成しているWGPD, 分布ベースバンド増幅器は単体では100GHz前後の帯域を達成しており, WGPD/分布型増幅器-OEICは40Gbit/sを越える超高速動作の可能性を有している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-04
著者
-
村本 好史
Nttフォトニクス研究所
-
深野 秀樹
NTT光エレクトロニクス研究所
-
高畑 清人
Ntt フォトニクス研
-
野口 一人
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
今井 祐記
Nttエレクトロニクス株式会社
-
加藤 和利
NTT光エレクトロニクス研究所
-
深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
-
高畑 清人
NTT光エレクトロニクス研究所
-
村本 好史
NTT光エレクトロニクス研究所
-
加藤 和利
Nttフォトニクス研究所
-
中島 長明
NTT光エレクトロニクス研究所
-
木村 俊二
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
幸前 篤郎
NTTエレクトロニクス
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