30Gbit/s導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高速光通信システムにおける受信器として, 受光素子とプリアンプをモノリシック集積した超高速受信用OEICが近年活発に研究されている。しかし, これらの多くは面型受光素子と帰還型増幅器の構成であり, 20 Gbit/sを越える高速化のためには, 受光素子構造の見直し, 分布型増幅器の採用, 等が必須である。従来より我々は, 受信OEICの40it/s動作実現を目指して, 高速動作可能な導波路型pinフォトダイオードを用いたOEICの研究, 及び広帯域分布ベースバンド増幅器の研究を進めてきた。今回, 導波路型pinフォトダイオードと分布型増幅器をモノリシック集積した受信用OEICで30 Gbit/s動作を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
村本 好史
Nttフォトニクス研究所
-
深野 秀樹
NTT光エレクトロニクス研究所
-
高畑 清人
Ntt フォトニクス研
-
野口 一人
Ntt光エレクトロニクス研究所
-
今井 祐記
Nttエレクトロニクス株式会社
-
加藤 和利
NTT光エレクトロニクス研究所
-
幸前 篤郎
NTT光エレクトロニクス研究所
-
深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
-
高畑 清人
NTT光エレクトロニクス研究所
-
村本 好史
NTT光エレクトロニクス研究所
-
加藤 和利
Nttフォトニクス研究所
-
今井 祐記
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
中島 長明
NTT光エレクトロニクス研究所
-
木村 俊二
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
幸前 篤郎
NTTエレクトロニクス
関連論文
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- シリアル-パラレル変換を用いた40Gbit/s光ラベル認識とセルフルーティング(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- Butt-Joint型選択成長スポットサイズ変換付き1.3μmLD
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- C-3-66 PLC/PDアレイを用いた集積型コヒーレント受信FEモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-14-13 SLD光源を用いた高画質ミリ波イメージング(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-7 ゼロバイアス送受信器による300GHz帯ギガビット無線システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- C-14-4 フォトダイオードをダウンコンバータに利用した300GHz帯ホモダイン検波システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
- 5.8GHz帯光給電無線アクセスポイントモジュール
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオードを用いたミリ波帯ファイバ無線リンクにおける信号伝送
- 単一走行キャリア端面入射屈折型フォトダイオード
- 1V_出力40 Gbit/sモノリシック受信OEIC
- 5.8GHz帯ファイバ無線用無給電無線アクセスポイントモジュール
- SC-3-3 マルチモードWGPDと分布型増幅器で構成した40Gbit/s受信OEIC
- C-3-86 50Gbit/sモノリシック受信OEICモジュール
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- B-10-78 フォトニック時間領域アッド・ドロップ多重器(B-10. 光通信システムB(光通信))
- シリアル-パラレル変換を用いた40Gbit/s光ラベル認識とセルフルーティング
- シリアル-パラレル変換を用いた40Gbit/s光ラベル認識とセルフルーティング(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- シリアル-パラレル変換を用いた40Gbit/s光ラベル認識とセルフルーティング(超高速・大容量光伝送/処理及びデバイス技術,一般)
- C-14-9 インコヒーレントノイズ源を用いたミリ波イメージングシステム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-3 フォトニクス技術を用いた300 GHz帯ギガビット無線システム(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-3-1 光周波数コム発生器を用いた10-110GHz周波数可変ミリ波発生
- 光周波数コム発生器とUTC-PDを用いた10-60GHz広帯域ミリ波発生
- 光周波数コム発生器とUTC-PDを用いた10-60GHz広帯域ミリ波発生
- B-5-146 60GHz帯ファイバ無線用モノリシック集積化ミリ波エミッター
- 110GHz動作マッシュルーム構造導波路型pinフォトダイオード
- PBC-1-4 フォトニック・マイクロ/ミリ波ソース
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-13 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するPDの歪特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 深い拡散による光ハイブリッド実装用プレーナ導波路型フォトダイオード(SIMPLE-WGPD)の低電圧化
- 光ハイブリッド実装用高効率プレーナ導波路型pinフォトダイオード
- スポットサイズ変換付き1.3μmLDの結合特性
- C-14-14 インコヒーレントテラヘルツ波発生の高効率化(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-3-48 集積型コヒーレント受信光フロントエンドモジュール技術(光フロントエンド,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-2 100Gbit/sイーサネット用モノリシック集積光源(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-14-15 ショットキーバリアダイオードを用いたテラヘルツ連続波分光イメージングシステムの高速化(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 1.3μm Butt-Joint型スポットサイズ変換LDの温度特性改善のための検討
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 単一走行キャリア導波路型フォトダイオード
- 1.3μm帯水平テーパ活性層型ラージスポットサイズレーザ
- C-4-3 100GbE用EADFBレーザアレイモジュールの低電圧動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高結合効率、広トレランス導波路型フォトダイオード
- 光ハイブリッド実装用1.3μm導波路型フォトダイオード
- B-5-224 60GHz帯モノリシック光・ミリ波エミッターの広帯域化
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (光エレクトロニクス)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (フォトニックネットワーク)
- 電磁エネルギーの有効利用 電源不要な超小型光マイクロ波変換モジュール
- 導波路型単一走行キャリアフォトダイオードを用いたミリ波の光伝送
- 広帯域、高感度特性を有する低コスト端面入射屈折型フォトダイオードモジュール
- 40 Gbit/s 導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
- 逆メサ光入射端面を有する高効率、低電圧動作の端面光入射屈折型フォトダイオード
- 逆メサ光入射端面を有する高効率、低電圧動作の端面光入射屈折型フォトダイオード
- 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
- 導波路型pin-PDと分布型増幅器のモノリシック集積による30 Gbit/s受信OEIC
- 高感度, 低電圧動作の端面光入射屈折型フォトダイオード
- 30Gbit/s導波路型pin-PD/分布型増幅器-受信OEIC
- 低電圧光ハイブリッド実装用高効率導波路型フォトダイオード
- 差動増幅器をモノリシック集積した高利得広帯域受信OEIC
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- C-14-13 300GHz帯無線リンクにおけるダイオード受信器の感度特性(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-12 300GHz帯無線システムを用いた14Gbps伝送実験(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-4-29 単一走行キャリア端面人射屈折型フォトダイオードの偏波無依存化
- 長波長帯超高速モノリシック受信用OEIC
- スポットサイズ変換レーザ
- C-4-40 100-160Gbit/s動作広帯域UTC-PDモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 導波路型pin-PDを用いた2チャネル受信用OEICの10Gbit/s動作
- 導波路型pinフォトダイオードを用いた10Gbit/s 2チャネル受信OEIC
- 超高速モノリシックPIN-HEMT及びモノリシック用レーザ
- C-14-6 光技術により発生した低コヒーレンス・テラヘルツ波の特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-5 光技術を用いたテラヘルツ無線における光源の検討(2) : キャリア・ノイズ比が及ぼす影響(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-14-4 光技術を用いたテラヘルツ無線における光源の検討(1) : 変調度が及ぼす影響(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 ポスト100GbE向け50-Gbit/s動作EA変調器集積DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 100GbE用EADFBレーザアレイの高出力化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 次世代100GbEトランシーバ用モノリシック集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-8 反転型高速アバランシェフォトダイオードの高い増倍感度(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-7 100GbE向けモノリシック集積光源の高出力化、低電圧駆動化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 超高速イーサネット用変調器集積光源 (特集 フォトニックネットワークに貢献する光半導体技術)
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源 (光エレクトロニクス)
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源 (光通信システム)
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ポスト100Gマルチレーン方式向け電界吸収型変調器集積光源(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- ED2012-107 サブミリ波帯ゼロバイアス動作InP系SBDモジュール(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)