C-4-13 p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有するPDの歪特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-03-07
著者
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
北里大学自然科学教育センター
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
-
児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
東京大学大学院農学生命科学研究科
-
村本 好史
Nttフォトニクス研究所
-
吉松 俊英
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
-
吉松 俊英
Nttフォトニクス研究所
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社nttフォトにクス研究所
-
児玉 聡
Ntt フォトニクス研
-
石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
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