75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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様々なミリ波装置へ向けたシングルチツプ構成のW帯導波管アンプモジュール(WR-10)の開発を行なった。MMIC用デバイスとして0.1μm InP-HEMTを用いている。75-110GHzにおいて9-22dBの小信号利得が得られ,75-105GHzにおいて入力リターンロス-8.3dB以下を維持したまま15dB幅の利得制御が行なえる。80-100GHzにおいて5dBm定入力電力時の出力電力は16.5-18.5dBmとなっている。また82-98GHzにおいて100mWを越える飽和出力電力が得られる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-23
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
北里大学自然科学教育センター
-
小杉 敏彦
NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
NTTフォトニクス研究所
-
徳光 雅美
NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 猛
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
-
村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
柴田 随道
NTTフォトニクス研究所
-
村口 正弘
NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 猛
NTTフォトニクス研究所
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