横方向微細化InP系HEMTの作製技術と素子特性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-02
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
松崎 秀昭
NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
丸山 隆志
Nttアドバンステクノロジ株式会社
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
徳光 雅美
NTTフォトニクス研究所
-
徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
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