配線用電解めっきAuにおけるセルフアニール現象(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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電解メッキ法を用いて成長したAu薄膜のセルフアニール現象をシート抵抗、応力、およびXRD評価を用いて検討した。セルフアニール、すなわち室温でのシート抵抗変動はAuの膜厚に依存し、厚い膜ほどセルフアニールが終了する時間が短くなる。また、セルフアニールは電流密度に依存し、電流密度が高いほど終了時間は短くなる。一方、応力変動についてもシート抵抗変動と同じ依存性が見られた。XRD分析により、めっきAuの結晶性を調べた結果、めっき直後の配向はシードAu層の配向に引き継がれ、(111)および(222)が優先的であるが、セルフアニール後には(200)が優先配向となる。また、ピークの広がりから算出した結晶粒径はセルフアニール前後で29nmから67nmに増大することが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-03
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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