選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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絶縁ゲート膜としてAl_2O_3/Si_3N_4 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS HFETの特性を報告する。前記のMIS HFETは、通常構造のHFETに比べてゲートリーク電流が3-5桁低減され、かつ、ゲート絶縁膜挿入の結果として生じるg_mの低下も小さいという、魅力的な特長を有することが明らかになった。また、再成長オーミック構造を組み込んだ、ゲート長0.1μmのチャネルドープ構造のMIS HFETを試作したところ、オーミックコンタクト抵抗が0.7から0.3mmΩに低減され、低いゲートリーク電流に加えて、1.2A/mmなる高いドレイン電流、MIS構造中最大の280mS/mmなる高いg_mが得られた。高周波特性も、f_T=56GHz, f_<max>=74GHzと良好であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-11
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
-
前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
NTTフォトニクス研究所NTT株式会社
-
廣木 正伸
NTTフォトニクス研究所
-
王 成新
NTTフォトニクス研究所
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