牧村 隆司 | NTTフォトニクス研究所NTT株式会社
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概要
関連著者
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
NTTフォトニクス研究所NTT株式会社
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
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深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
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山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
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北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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杉谷 末広
NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社
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北林 博人
NTTフォトニクス研究所
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村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
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村口 正弘
NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
-
廣木 正伸
NTTフォトニクス研究所
-
王 成新
NTTフォトニクス研究所
著作論文
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)