牧村 隆司 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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横山 春喜
日本電信電話
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
NTTフォトニクス研究所NTT株式会社
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村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
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末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
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末光 哲也
Ntt フォトニクス研
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山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
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村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
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北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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杉谷 末広
NTTフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社
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北林 博人
NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
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村口 正弘
NTTフォトニクス研究所
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小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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牧村 隆司
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
小杉 敏彦
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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杉谷 末広
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
重川 直輝
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
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小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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杉谷 末広
日本電信電話(株)
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牧本 俊樹
Ntt物性基礎研
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前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
廣木 正伸
NTTフォトニクス研究所
-
王 成新
NTTフォトニクス研究所
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深井 佳乃
日本電信電話(株)
-
牧村 隆司
NTTエレクトロニクス(株)
-
村田 浩一
日本電信電話(株)ntt Lsi研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
著作論文
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択再成長オーミック構造を有するAl_2O_3/Si_3N_4薄層絶縁ゲートAlGaN/GaNヘテロ構造FET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))