重川 直輝 | 大阪市立大学大学院工学研究科
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
横山 春喜
日本電信電話
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村本 好史
Nttフォトニクス研究所
-
廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村本 好文
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
Ntt フォトニクス研
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
村本 好史
Ntt フォトニクス研
-
塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
Ntt フォトニクス研
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社
-
名田 允洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
名田 允洋
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
重川 直輝
NTTフォトニクス研
-
前田 就彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
梁 剣波
大阪市立大学工学研究科
-
重川 直輝
大阪市立大学工学研究科
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
-
吉松 俊英
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
-
吉松 俊英
Nttフォトニクス研究所
-
杉田 憲一
福井大学工学部
-
山本 〓勇
福井大学工学部
-
大野 哲一郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社nttフォトにクス研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社
-
石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
-
日暮 栄治
東京大学先端科学技術センター
-
佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
大野 哲一郎
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
NTTフォトニクス研究所
-
吉野 薫
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
橋本 明弘
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学大学院工学研究科
-
山本 〓勇
福井大学大学院工学研究科
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
-
渡邉 則之
Nttフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
日本電信電話(株)フォトニクス研究所(現)NTTエレクトロニクス
-
日暮 栄治
東京大学先端科学技術研究センター
-
前田 就彦
NTTフォトニクス研究所
-
廣木 正伸
NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
-
杉田 憲一
福井大学
-
山本 〓勇
福井大学
-
三原 章宏
福井大学工学部
-
Bhuivan Ashraful
福井大学工学部
-
Bhuiyan Ashraful
福井大学工学部
-
目暮 栄治
東京大学先端科学技術研究センター
著作論文
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-4-21 MIC-PDを使用した100Gbイーサネット用25Gbit/s ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 低バイアス・高光入力動作に適したComposite Field MIC-PDの提案と実証(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 再成長AlGaNコンタクト層を有する圧縮歪みInAlN/AlGaN/GaN FETs(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-4-17 MIC-PDを使用したシリアル40Gbイーサネット用ROSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性
- SiN膜によるAlGaN/GaNヘテロ構造の表面保護効果 : 熱処理損傷の回復
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- C-4-33 メサ型新構造を有する高利得・広帯域InAlAs/InGaAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 表面活性化ボンディングによるSi・異種材料接合の電気特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)