重川 直輝 | NTTフォトニクス研

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概要

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関連著者

• 重川 直輝

  NTTフォトニクス研

• 重川 直輝

  Nttフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  Ntt フォトニクス研

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社

• 宝川 幸司

  神奈川工科大工学部

• 西村 一巳

  NTTフォトニクス研

• 宝川 幸司

  神工大工学部

• 宝川 幸司

  神奈川工科大学工学部

• Hohkawa Kohji

  Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology

• 西村 一巳

  Nttフォトニクス研究所

• 兼城 千波

  神奈川工科大学工学部

• 兼城 千波

  神奈川工科大・工

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 黄 啓新

  神奈川工科大学工学部

• 黄 啓新

  神工大工学部

• 塩島 謙次

  NTTフォトニクス研究所

• 黄 啓新

  神奈川工科大学ホームエレクトロニクス開発学科

• Komine Kenji

  Advanced Technology Research Laboratory Meidensha Corporation

• 黄 啓新

  神奈川工科大学

• 重川 直輝

  Ntt

• 水澤 貴洋

  神奈川工科大学工学部

• 横田 学

  神奈川工科大学工学部

• 和田 雅哉

  神奈川工科大学工学部

• 水澤 貴洋

  神工大工学部

• 和田 雅哉

  神奈川工科大・工

• 重川 直輝

  大阪市立大学大学院工学研究科

• 末光 哲也

  NTTフォトニクス研究所

• 末光 哲也

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 杉田 憲一

  福井大学工学部

• 橋本 明弘

  福井大学工学部

• 山本 〓勇

  福井大学工学部

• 渡邉 則之

  Nttフォトニクス研究所

• 末光 哲也

  Ntt フォトニクス研

• 塩島 謙次

  NTT LSI研究所

• 三原 章宏

  福井大学工学部

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 隆

  NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 廣木 正伸

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 伊藤 雄而

  物性研(東大)

• 伊藤 雄而

  山梨大・教育

• 橋本 明弘

  福井大学大学院工学研究科

• 原田 三男

  物性研

• 井上 和彦

  北大工

• 山本 〓勇

  福井大学大学院工学研究科

• Bhuiyan A.

  福井大学工学部

• 前田 就彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 井上 和彦

  北大 工

• 西村 一巳

  NTT LSI研究所

• Boni P.

  BNL

• 前田 就彦

  NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  Nttフォトニクス研

• 廣木 正伸

  NTTフォトニクス研究所

• 原田 三男

  自治医科大学物理学教室

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社

• 西村 一巳

  Ntt

• Bhuivan Ashraful

  福井大学工学部

• Bhuiyan Ashraful

  福井大学工学部

• 伊藤 雄而

  物性研

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著作論文

• P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
• GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• 電荷転送効果によるGaN紫外線センサーに関する基礎検討
• 1-06P-40 AlGaN/GaNフィルム素子における可変特性(ポスターセッション 1)
• 28a-K-4 中性子準弾性散乱による人工二重層膜DDABの相転移のダイナミクス
• InAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性
• SiN膜によるAlGaN/GaNヘテロ構造の表面保護効果 : 熱処理損傷の回復
• 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
• 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価
• AlGaN/GaN 2DEG構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• AlGaN/GaN 2DEG 構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• P2-28 サファイア基板上GaNのSAW特性(ポスターセッション2(概要講演))
• MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長(薄膜プロセス・材料,一般)
• MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長

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