重川 直輝 | Nttフォトニクス研究所

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• 重川 直輝

  Nttフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社

• 宝川 幸司

  神奈川工科大工学部

• 宝川 幸司

  神工大工学部

• 宝川 幸司

  神奈川工科大学工学部

• Hohkawa Kohji

  Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology

• 西村 一巳

  Nttフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  Ntt フォトニクス研

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  NTTフォトニクス研

• 西村 一巳

  NTTフォトニクス研

• 塩島 謙次

  NTTフォトニクス研究所

• 兼城 千波

  神奈川工科大学工学部

• 兼城 千波

  神奈川工科大・工

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 黄 啓新

  神奈川工科大学工学部

• 黄 啓新

  神工大工学部

• 黄 啓新

  神奈川工科大学ホームエレクトロニクス開発学科

• Komine Kenji

  Advanced Technology Research Laboratory Meidensha Corporation

• 黄 啓新

  神奈川工科大学

• 塩島 謙次

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話(株)フォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社

• 横山 春喜

  日本電信電話

• 西村 一巳

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 水澤 貴洋

  神奈川工科大学工学部

• 横田 学

  神奈川工科大学工学部

• 和田 雅哉

  神奈川工科大学工学部

• 水澤 貴洋

  神工大工学部

• 和田 雅哉

  神奈川工科大・工

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 西村 一巳

  NTT LSI研究所

• 小野寺 清光

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  Nttフォトニクス研

• 塩島 謙次

  NTTフオトニクス研究所

• 重川 直輝

  NTTフオトニクス研究所

• 重川 直輝

  Ntt

• 小野寺 清光

  日本電信電話

• 西村 一巳

  Ntt

• 重川 直輝

  大阪市立大学大学院工学研究科

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著作論文

• n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
• GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
• 電荷転送効果によるGaN紫外線センサーに関する基礎検討
• 1-06P-40 AlGaN/GaNフィルム素子における可変特性(ポスターセッション 1)
• n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• SiN膜によるAlGaN/GaNヘテロ構造の表面保護効果 : 熱処理損傷の回復
• AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性とHEMT特性との相関(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• AlGaN/GaN 2DEG構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• AlGaN/GaN 2DEG構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• AlGaN/GaN 2DEG 構造におけるシート抵抗の熱的安定性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの自己発熱評価
• P2-28 サファイア基板上GaNのSAW特性(ポスターセッション2(概要講演))

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