西村 一巳 | 日本電信電話(株)フォトニクス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 日本電信電話(株)フォトニクス研究所の論文著者

関連著者

• 西村 一巳

  日本電信電話(株)フォトニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 西村 一己

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 西村 一巳

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

• 杉谷 末広

  日本電信電話(株)

• 杉谷 末広

  Ntt システム・エレクトロニクス研

• 井田 実

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 井田 実

  日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所

• 堤 卓也

  日本電信電話(株)NTTフォトニクス研

• 堤 卓也

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 井田 実

  日本電信電話

• 堤 卓也

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 宝川 幸司

  神奈川工科大工学部

• 宝川 幸司

  神工大工学部

• 宝川 幸司

  神奈川工科大学工学部

• Hohkawa Kohji

  Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology

• 井田 実

  日本電信電話(株)nttフォトニクス研

• 西村 一巳

  Nttフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  Nttフォトニクス研究所

• 重川 直輝

  Ntt フォトニクス研

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社

• 重川 直輝

  日本電信電話株式会社

• 横山 春喜

  日本電信電話

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小林 隆

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 隆

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所

• 廣木 正伸

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 綱島 聡

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 上綱 秀樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小杉 敏彦

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 井田 実

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 杉谷 末広

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 杉谷 末広

  Ntt フォトニクス研

• 杉谷 末広

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 西村 一巳

  NTT LSI研究所

• 小野寺 清光

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 小野寺 清光

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 杉谷 末広

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 綱島 聡

  NTTフォトニクス研究所

• 西村 一己

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 小野寺 清光

  日本電信電話

• 綱島 聡

  日本電信電話(株) Nttフォトニクス研

• 小杉 敏彦

  日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所

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著作論文

• n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• C-10-15 BCB多層配線プロセスを用いたマイクロ波線路の特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)

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