C-10-15 BCB多層配線プロセスを用いたマイクロ波線路の特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2008-03-05
著者
-
西村 一巳
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話(株)
-
上綱 秀樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
小野寺 清光
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
-
小野寺 清光
日本電信電話
-
西村 一巳
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
関連論文
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-20 サファイア基板上GaNのSAW特性(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- C-10-15 BCB多層配線プロセスを用いたマイクロ波線路の特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 60GHz帯0.4V, 5.6mW InP HEMT低雑音増幅器MMIC(移動通信ワークショップ)
- C-2-21 V帯広帯域InP HEMT周波数逓倍器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 第36回欧州マイクロ波会議出席報告
- 第36回欧州マイクロ波会議出席報告(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- B-10-44 10.3Gbit/sバーストCDRの非同期干渉信号入力耐性(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC
- 第36回欧州マイクロ波会議出席報告(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 第36回欧州マイクロ波会議出席報告
- B-6-50 InP HEMT 4x4スイッチのプロテクションスイッチへの応用(B-6.ネットワークシステム,一般講演)
- InP HEMTを用いた低消費電力スイッチマトリクスIC
- SC-9-6 BCB 液体ソースを用いたプラズマ CVD 法で堆積した低誘電率有機膜の膜質特性
- 0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFETの高性能化
- 超高速ディジタル回路用0.1μm級GaAsMESFET
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- n^+GaN/undoped GaN構造上に作成された表面弾性波デバイス特性(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 3次元配線を用いた0〜56GHzゲートライン分割型分布べースバンド増幅器 IC
- 超高速ディジタルICへの多層配線構造の適用
- InP系集積回路の新応用技術(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- InP系集積回路の新応用技術(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- C-14-8 光照射 HPT の低コレクタ電流時における f_T の検討
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN 2DEG 構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
- MMIC用3次元配線の耐湿性改善
- p-GaNショットキー接触のICTS評価
- 耐熱ゲートInGaP/GaAs MESFETの製作技術
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- C-10-10 側面コンタクトを用いたスタック型MIMキャパシタの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- B-10-34 1G/10G PONに対応した1:16 DEMUX付き10GバーストCDR回路(B-10.光通信システムB(光通信方式,光通信機器,デバイスのシステム応用,光通信網・規格),一般セッション)
- 配線用電解めっきAuにおけるセルフアニール現象(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-8 BCB層間膜を用いたInP-HEMTの耐湿性向上(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
- C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-7 50 Gbit/s InP HEMT 差動出力リミッティングアンプ IC
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7 W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- InP HEMT を用いた100-Gbit/s論理IC
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETを用いたミリ波帯増幅器
- 感光性BCBを用いた3次元MMIC配線プロセス技術
- マスタスライス型3次元ミリ波MMICの検討
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 超小型3次元MMIC用配線形成技術
- 3次元配線を用いた0〜80GHzソースライン分割型分布直流レベルシフトIC
- C-2-46 信号線下を掘込んだグランドコプレーナ線路2
- C-2-77 鉛フリーはんだを用いたフリップチップ実装の高周波特性2 : バンプ電極径依存性
- C-2-35 信号線下を掘込んだグランドコプレーナ線路
- 0.1μm GaAs MESFETのしきい値電圧高均一化
- C-2-7 V帯3次元MMIC1チップダウンコンバータ
- 耐熱ゲートInGaP/InGaAs/GaAs HMESFET
- 自己整合0.1umゲートGaAs-MESFETの閾値変動と寿命
- 自己整合0.1umゲートGaAs-MESFETの閾値変動と寿命
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 対称/非対称構造InGaP/InGaAs/GaAs HMESFETとミリ波帯増幅器への応用
- 超小型MMIC用3次元配線技術
- U字形VIAを用いた厚膜ポリイミド多層配線の製作
- 新BP-LDD構造0.1μmAu/WSiNゲートGaAsMESFET
- 耐熱ゲートGaAs/InGaAs/GaAsMESFET
- 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの自己発熱評価
- P2-28 サファイア基板上GaNのSAW特性(ポスターセッション2(概要講演))
- 短時間アニ-ルによるMESFET高性能化 (GaAs SAINTによる超高速・超高周波集積回路技術)
- 2層構造WSiN電極によるGaAsショットキー接触の耐熱性の向上
- 0.1μm級ゲートGaAs-MESFETを用いたミリ波帯増幅器
- MMIC用二重LDD型H-MESFET
- 超高速集積回路用GaAs MESFETの0.1μm WSiNゲート形成技術
- 3次元MMICプロセス技術 (特集論文 3次元マイクロ波集積回路技術--次世代超高周波/超高速ハ-ドウェアを支える先端技術)
- C-10-14 Inp HEMTによる43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
- InP HEMTを用いた43-Gbit/s完全モノリシック集積クロック・データ再生回路
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- InP-IC応用に向けた新スタック型MIMキャパシタ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-9 InP-ICの3次元集積化に向けた基板貫通ヴィアの高周波特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-11 InP-HBT-IC安定化のための基板貫通グランドヴィア形成プロセス(C-10. 電子デバイス,一般セッション)