耐熱ゲートGaAs/InGaAs/GaAsMESFET
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概要
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GaAsMESFET集積回路の高性能化のため、ゲート長短縮に対応した素子構造の開発が必要とされている。ゲート長短縮とイオン注入の低エネルギー化は表面での濃度の上昇によるゲート特性の劣化、耐熱の低下を招く。ここでは表面濃度を抑えて、高濃度薄層化が実現できる。エピ成長活性層に耐熱ゲート製作工程を適用してMESFETを作成したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
山崎 王義
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTT LSI研究所
-
山崎 王義
NTT LSI研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
NTT LSI研究所
-
入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
入戸野 巧
NTT LSI研究所
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