超高速IC用の多層配線を用いた0.1μmセルフアラインゲートGaAs MESFET
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概要
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40Gbit/sクラスの超高速ICを実現するため、GaAs MESFETのゲート長短縮化及び多層配線技術の導入を図った。ゲート長短縮化においては、ゲート長0.06μmでfT=168GHzというデバイスの高性能性を確認した。さらに、ゲート長0.13μmのGaAs MESFETと、多層配線を用いて、識別器を試作し、32Gbit/sという超高速性能を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-23
著者
-
山口 聡
工学院大学工学部電子工学科
-
平野 真
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
尾辻 泰一
Ntt 光ネットワークシステム研究所
-
徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
-
徳光 雅美
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
山口 聡
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
尾辻 康一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山崎 王義
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
尾辻 康一
九州工大
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