InGaP/InGaAs/GaAs-HMESFETの耐圧向上
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概要
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GaAsMESFETMMICの高性能化のため、ゲート長短縮による高周波化とこれに対応した高耐圧化が必要である。ここではイオン注入によるn'層、n'層を有するInGaP/InGaAs/GaAsFETの高ドレイン耐圧化を実現するためn'層、n'層濃度とドレイン耐圧との相関を明らかとして、高ドレイン耐圧化を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
徳光 雅美
Ntt フォトニクス研
-
徳光 雅美
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
山崎 王義
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTT LSI研究所
-
井上 考
NTT LSI研究所
-
徳光 雅美
NTT LSI研究所
-
日向 文明
NTT LSI研究所
-
山崎 王義
NTT LSI研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
日向 文明
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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