MMIC用二重LDD型H-MESFET
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概要
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ミリ波帯での高機能MMIC製作を目的として、対称、非対称FET混載に適した非対称FET構造を検討し良好な結果を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
小野寺 清光
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
小野寺 清光
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一巳
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
山根 康朗
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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