自己整合0.1umゲートGaAs-MESFETの閾値変動と寿命
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概要
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ゲート長0.1umの自己整合型GaAs-MESFETに対して高温での連続通電による劣化試験を行い、閾値電圧の変動を観測した。また、MESFETと同時に作製されたデジタルICに対しても高温でDCバイアス印加の試験を行い、FETの劣化に追随した性能低下を見いだした。それらの変動量葉、試験温度200℃累積時間3000時間では、閾値の約100mVの増加に対して、ICの動作速度は20%の減少であった。この劣化は逆方向通電により部分的に回復した。この劣化の活性化エネルギーはチャネル脇の半導体層へのSiドーピング量依存性を持つことが分かった。閾値電圧変動の制御は、MESFETのブレークダウン電圧が減少しない最大量まで注入量を増やすことで可能になり、ドーピング量を.0x10^<13>cm^<-2>とする100℃で10^6時間以上のメディアン寿命を保証できることが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-17
著者
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
西村 一巳
NTT LSI研究所
-
山崎 王義
Nttエレクトロニクス
-
西村 一巳
NTT エレクトロニクス
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一己
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
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