InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
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概要
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InP HEMTの信頼性をドレイン抵抗増加のバイアス依存性に着目して調べた。高電界、高電流密度でのホットエレクトロンと不純物に起因した劣化モデルを導入した。不純物低減によるデバイスの寿命の向上とともに、ICの低バイアス設計により、TFFで100℃で1x10^7時間以上の寿命を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-23
著者
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
-
北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
杉谷 末広
NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社
-
北林 博人
NTTフォトニクス研究所
-
村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
村口 正弘
NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
NTTフォトニクス研究所NTT株式会社
-
杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
-
山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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