多相クロックアーキテクチャによる1.7 W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
多相クロックアーキテクチャによる4:1マルチプレクサICの低消費電力・高速動作について報告する。多相クロックアーキテクチャは、4相クロックを発生するトグル・フリップフロップと4:1多重動作を行う縦積み4:1セレクタから構成されることを特徴とする。InP HEMTを用いた試作ICは、出力振幅1Vpp,消費電力1.71Wで50Gbit/sエラーフリー動作を達成した。1.71Wの消費電力は従来のツリーアーキテクチャによるInP HEMT 4:1マルチプレクサの消費電力の1/3以下であり、この大幅な消費電力削減にも関わらず動作速度(50Gbit/s)と出力振幅(1VPpp)は維持されている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-09
著者
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
-
佐野 公一
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
-
杉谷 末広
NTTフォトニクス研究所
-
菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
-
菅原 裕彦
NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社
-
榎本 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
佐野 公一
NTTフォトニクス研究所
関連論文
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器(集積エレクトロニクス)
- 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ : 120GHz帯広帯域無線の実用化へ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 120GHz帯10Gbti/s無線伝送用BPSK変復調MMIC(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- InP HFET高信頼化の検討(光デバイス・部品の信頼性)
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器
- 50-Gbit/sフィードスルー型メタルウォールMUX/DEMUX ICモジュール
- B-10-94 光映像配信システム用広帯域・低歪みROSAの検討(B-10.光通信システムA(線路),一般セッション)
- C-12-65 並列型A/D変換器用比較器の回復時間に関する検討(C-12.集積回路,一般セッション)
- 43Gbit/s DQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 43Gbit/sDQPSK光受信器用2チャンネルInP HBT差動利得制御トランスインピーダンス増幅器IC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- BCS-2-5 光受信器用高速アナログIC技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-12-15 3bit 20Gsps A/D変換器モジュール(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-7 40G光伝送用電気分散補償(DFE)IC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-6 低群遅延偏差InP HBTフィードフォワード等化ICの一検討(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-3 +3.3V電源・12GHz帯域InP HBT 自動利得制御アンプIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-4 InP HBTを用いた多相クロック構成50Gbit/s 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- モノリシック集積のためのクロック抽出回路
- C-10-26 モノリシック集積化のためのクロック抽出回路
- B-10-115 デュオバイナリCS-RZ符号伝送におけるSSB直接検波による分散耐力の拡大
- B-10-96 モノリシックデジタルOEIC受信モジュールを用いた43Gbit/s, 200Km無中継伝送実験
- C-2-20 120GHz帯10Gbit/sデータ伝送用低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-95 HEMT MMICを使用した120GHz帯ミリ波無線による10Gbit/sデータ伝送(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- C-10-16 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック分周器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-18 130GHz帯アンテナ一体型ミリ波イメージングMMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-2-7 F帯ミリ波無線受信機用チューナブルフィルタ(CS-2.可変マイクロ波回路,シンポジウム)
- C-14-16 120GHz帯ミリ波無線の伝送特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- R&Dホットコーナー 120GHz帯無線データ通信へ向けたミリ波集積回路技術
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信
- InP HBTによる次世代光通信用超高速D/A変換器
- C-3-66 PLC/PDアレイを用いた集積型コヒーレント受信FEモジュール(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-26 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-134 120 GHz帯ミリ波無線の降雨減衰特性(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- CI-1-6 120GHz帯無線リンクとモジュール技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-2-85 120GHz帯無線の偏波多重通信に向けた基礎検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 40Gbit/s光通信用 Digital OEIC
- 50-Gbit/sフィールドスルー型メタルウォールMUX/DEMUX ICモジュール(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- 50-Gbit/sフィールドスルー型メタルウォールMUX/DEMUX ICモジュール(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- モノリシック集積のためのクロック抽出回路
- モノリシック集積のためのクロック抽出回路
- 0.1μm級GaAs MESFETを用いた超高速識別器IC
- 超高速ディジタル回路用0.1μm級GaAsMESFET
- B-10-149 デュオバイナリキャリア抑圧RZ符号の提案と100GHz間隔8×43Gbit/s波長多重伝送への応用
- B-10-81 380ps/nmの分散トレランスをもつ完全符号化40Gbit/s光デュオバイナリ信号を用いた8チャネルWDM伝送
- C-10-13 多層配線構造を有するGaAs MESFETを用いた分布型セレクタIC
- 0.15μm GaAs MESFETを用いた40Gbit/s識別器IC
- CS-3-2 140GHz帯ミリ波イメージング装置(CS-3.環境・エネルギー分野の発展に貢献するマイクロ波技術,シンポジウムセッション)
- C-3-48 集積型コヒーレント受信光フロントエンドモジュール技術(光フロントエンド,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 80Gbit/s動作InP HBT1:4デマルチプレクサIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP HEMTトランスインピーダンス増幅器を用いた超40Gbit/s光受信モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-6 InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-10 810°移相可能な電圧制御ベクトル合成型移相器IC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InPによるPVT補償回路付き擬似正弦波関数発生器 : ベクトル合成型移相器の線形制御のために(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InP HBTによる32-GS/s 6-bitダブルサンプリング型D/A変換器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-10-16 InP HBTによる24-GS/s 6-bit R-2R型D/A変換器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-12 単電圧制御で360°移相可能なベクトル合成型移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 超高圧力処理によるAl-SiおよびAl-Ge過飽和固溶体の超伝導特性
- B-5-124 120GHz帯無線による10Gbit/sデータの5km伝送(B-5.無線通信システムB(無線アクセスネットワーク),一般セッション)
- C-10-15 光映像配信システム用InP HBT TIA-AGC ICのROSA実装時における群遅延特性改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-14 光映像配信システム用InP HBT TIA-AGC ICのESD高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-3 多相クロック構成による 50 Gbit/s InP HEMT 4 : 1 マルチプレクサ /1 : 4 デマルチプレクサ IC
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- C-10-7 50 Gbit/s InP HEMT 差動出力リミッティングアンプ IC
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7 W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- InP HEMT を用いた100-Gbit/s論理IC
- 多相クロックアーキテクチャによる1.7W 50 Gbit/s InP HEMT 4:1 マルチプレクサIC
- InP HEMTを用いた100-Gbit/s論理IC
- ネットワークの進化を支える光部品 (特集 100Gbit/sデジタルコヒーレント通信用光部品技術の研究開発)
- BCS-2-5 光受信器用高速アナログIC技術(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-2-83 120GHz帯無線リンク用10Gbit/s QPSK変復調モジュール(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- 共鳴トンネルダイオードとHEMTを用いたセレクタ回路
- 超40Gb/s ICモジュール用実装プラットフォームの検討
- 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
- 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
- 超40Gb/s IC用表面実装技術の開発
- InP HEMTによる80 Gbit/sマルチプレクサIC
- 40Gbit/s級光伝送システム用EX-OR/NORIC
- C-3-124 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別回路からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- CS-8-1 超100GHz InP HEMT回路(CS-8.超100ギガ・デバイスおよびシステム技術の将来展望,シンポジウムセッション)
- C-10-11 50Gbit/s級MUX/DEMUX用広帯域フィードスルー型パッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 超高速ICに向けた0.1μmGaAsMESFET技術
- C-10-12 超高速DACのダイナミック特性向上(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-5 ベクトル合成型移相器ICの広帯域化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 未来を拓く先端技術 100Gbit/s光通信用IC
- 40-Gbit/s光通信用超高速IC技術
- 共鳴トンネルダイオードと単一走行キャリアフォトダイオードを用いた光電気融合回路
- 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- C-10-15 InAlAs/InGaAs/InP HEMTによる50-Gbit/s l:2デマルチプレクサモジュール