InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
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概要
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InP HEMTの信頼性と回路の信頼性との相関を検討するため、HEMTの劣化のストレスバイアス依存性を調べた。ドレイン抵抗増加のバイアス依存性が顕著であり、その劣化モデルとして高電界、高電流密度でのホットエレクトロン生成と半導体中に存在する不純物の相互作用を提案した。素子作製工程における不純物量低減によってデバイス寿命の1桁以上の向上が見られた。さらに回路では40Gb/sのT-FFを対象として検討したところ、工程改善に加え低バイアス設計により1x10^7時間を超える寿命(100℃に外挿)が得られ、実用上十分な信頼性を持つことが確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-28
著者
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
-
北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
杉谷 末広
NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社
-
北林 博人
NTTフォトニクス研究所
-
村口 正弘
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTフォトニクス研究所
-
村口 正弘
NTTフォトニクス研究所
-
牧村 隆司
NTTフォトニクス研究所NTT株式会社
-
杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
-
山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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