単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
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概要
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大容量光ファイバ通信システムへの適用を目的とした、単一走行キャリアフォトダイオードとゲート長0.1-μm InAlAs/InGaAs/InP HEMT識別器をモノリシック集積したディジタルOEICについて述べる。作製したチップをOEIC用パッケージに実装し、40-Gbit/s RZ光データ信号入力に対して40GHzのクロックレートでエラーフリー動作を確認した。さらに、光ファイバ増幅器と本OEICモジュールからなる光受信器の誤り率特性を評価した結果、-24.1dBmの入力感度特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-30
著者
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
宮本 裕
NTT未来ねっと研究所
-
古田 知史
NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
-
古田 知史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
渡邉 則之
Nttフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社
-
北林 博人
NTTフォトニクス研究所
-
清水 直文
NTTフォトニクス研究所
-
渡辺 則之
NTTフォトニクス研究所
-
木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
木村 俊二
NTTフォトニクス研究所
-
佐野 栄一
NTTフォトニクス研究所
-
古田 知史
Ntt フォトニクス研
-
古田 知史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
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